Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS7764S
FDS7764S

FDS7764S Fairchild Semiconductor

FAIRS20240-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 116328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS7764S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS7764S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS7764S Виробник : FAIRCHILD FDS7764S.pdf FAIRS20240-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS7764S FDS7764S Виробник : onsemi FDS7764S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.