Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS7788
FDS7788

FDS7788 Fairchild Semiconductor

FAIRS26526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
на замовлення 73055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+202.20 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS7788 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS7788

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS7788 Виробник : FAIRCHILD FDS7788.pdf FAIRS26526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS7788 FDS7788 Виробник : onsemi FDS7788.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.