FDS8447 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 43.51 грн |
| 5000+ | 39.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8447 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS8447 за ціною від 29.52 грн до 131.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8447 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 29170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 12.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1585 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V |
на замовлення 12452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 26074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS8447 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8447 TFDS8447 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |