на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 43.44 грн |
| 5000+ | 41.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8447 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS8447 за ціною від 26.19 грн до 176.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V |
на замовлення 12452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8447 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 26074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 32603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS8447 | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8447 TFDS8447 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS8447 | Виробник : ONSEMI |
FDS8447 SMD N channel transistors |
на замовлення 1783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS8447 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |