Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDS8447
FDS8447

FDS8447 ON-Semiconductor

info-tfds8447.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8447 TFDS8447
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8447 ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8447 за ціною від 39.69 грн до 133.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8447 FDS8447 onsemi fds8447-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.28 грн
5000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ON Semiconductor 3661554463460540fds8447.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.24 грн
5000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ON Semiconductor 3661554463460540fds8447.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.14 грн
5000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ON Semiconductor 3661554463460540fds8447.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.50 грн
5000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ON Semiconductor 3661554463460540fds8447.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 onsemi fds8447-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.02 грн
10+82.46 грн
100+64.12 грн
500+51.00 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ON Semiconductor 3661554463460540fds8447.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.55 грн
134+105.48 грн
171+82.74 грн
250+78.99 грн
500+62.18 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ON Semiconductor 3661554463460540fds8447.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.68 грн
10+107.44 грн
25+106.37 грн
100+80.56 грн
250+73.84 грн
500+59.76 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 onsemi / Fairchild FDS8447_D-2312912.pdf description MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 FDS8447 ONSEMI fds8447-d.pdf description Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.28 грн
5000+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description 3661554463460540fds8447.pdf
FDS8447
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.24 грн
5000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description 3661554463460540fds8447.pdf
FDS8447
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.14 грн
5000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description 3661554463460540fds8447.pdf
FDS8447
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+77.50 грн
5000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description 3661554463460540fds8447.pdf
FDS8447
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.02 грн
10+82.46 грн
100+64.12 грн
500+51.00 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description 3661554463460540fds8447.pdf
FDS8447
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
133+106.55 грн
134+105.48 грн
171+82.74 грн
250+78.99 грн
500+62.18 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description 3661554463460540fds8447.pdf
FDS8447
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+133.68 грн
10+107.44 грн
25+106.37 грн
100+80.56 грн
250+73.84 грн
500+59.76 грн
1000+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description FDS8447_D-2312912.pdf
FDS8447
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8447 description fds8447-d.pdf
FDS8447
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8447 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.8 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 29170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.