Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS86106
FDS86106

FDS86106 ON Semiconductor

3670014178729974fds86106.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86106 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDS86106 за ціною від 31.74 грн до 91.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS86106 FDS86106 Виробник : ON Semiconductor 3670014178729974fds86106.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS86106 FDS86106 Виробник : ON Semiconductor 3670014178729974fds86106.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS86106 FDS86106 Виробник : onsemi fds86106-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.57 грн
10+ 66.81 грн
100+ 51.95 грн
500+ 41.32 грн
1000+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS86106 FDS86106 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86106_D-2312913.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 24078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.99 грн
10+ 74.44 грн
100+ 50.29 грн
500+ 42.6 грн
1000+ 34.72 грн
2500+ 32.6 грн
5000+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS86106 FDS86106 Виробник : onsemi fds86106-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 50 V
товар відсутній