Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS86140

FDS86140

fds86140-d.pdf
Код товару: 179302
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS86140 за ціною від 82.46 грн до 307.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86140 FDS86140 onsemi / Fairchild FDS86140-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+111.86 грн
100+93.74 грн
500+89.51 грн
1000+88.10 грн
2500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.44 грн
500+117.59 грн
1000+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.67 грн
10+165.23 грн
100+115.98 грн
500+97.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+307.54 грн
50+202.28 грн
100+141.44 грн
500+117.59 грн
1000+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140-D.PDF
FDS86140
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+111.86 грн
100+93.74 грн
500+89.51 грн
1000+88.10 грн
2500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+141.44 грн
500+117.59 грн
1000+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+261.67 грн
10+165.23 грн
100+115.98 грн
500+97.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+307.54 грн
50+202.28 грн
100+141.44 грн
500+117.59 грн
1000+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.