Продукція > ONSEMI > FDS86140
FDS86140

FDS86140 onsemi

fds86140-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86140 onsemi

Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS86140 за ціною від 87.84 грн до 251.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86140 FDS86140 Виробник : ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.25 грн
500+116.97 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ON Semiconductor fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+152.66 грн
10+133.74 грн
25+127.04 грн
100+108.04 грн
250+98.96 грн
500+93.00 грн
1000+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : onsemi / Fairchild fds86140-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.96 грн
10+140.95 грн
25+121.83 грн
100+110.82 грн
250+104.22 грн
500+101.28 грн
1000+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.06 грн
10+146.78 грн
100+116.52 грн
500+94.57 грн
1000+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 0.0081 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+251.93 грн
50+181.95 грн
100+143.25 грн
500+116.97 грн
1000+103.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 Виробник : Aptina Imaging fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.33 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140
Код товару: 179302
Додати до обраних Обраний товар

fds86140-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ON Semiconductor fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 Виробник : ONSEMI fds86140-d.pdf FDS86140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ON Semiconductor 3651764586542256fds86140.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.