Продукція > ONSEMI > FDS86140
FDS86140

FDS86140 ONSEMI

fds86140-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.37 грн
500+113.75 грн
1000+102.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86140 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS86140 за ціною від 90.62 грн до 179.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86140 FDS86140 Виробник : onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.53 грн
10+111.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86140-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.86 грн
10+122.91 грн
100+103.01 грн
500+98.36 грн
1000+96.81 грн
2500+90.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ONSEMI fds86140-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.91 грн
50+134.67 грн
100+125.11 грн
500+115.37 грн
1000+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ON Semiconductor fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+179.54 грн
10+157.30 грн
25+149.41 грн
100+127.07 грн
250+116.39 грн
500+109.38 грн
1000+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 Виробник : Aptina Imaging fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+116.54 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140
Код товару: 179302
Додати до обраних Обраний товар

fds86140-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ON Semiconductor fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 Виробник : ON Semiconductor 3651764586542256fds86140.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.