Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS86140

FDS86140

fds86140-d.pdf
Код товару: 179302
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS86140 за ціною від 94.73 грн до 255.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS86140 FDS86140 ON Semiconductor fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+190.61 грн
10+166.99 грн
25+158.62 грн
100+134.90 грн
250+123.56 грн
500+116.12 грн
1000+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 onsemi fds86140-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.15 грн
10+161.12 грн
100+113.09 грн
500+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 onsemi / Fairchild FDS86140-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 ONSEMI 2304152.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140 ONSEMI 2304152.pdf Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 Aptina Imaging fds86140-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.56 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+190.61 грн
10+166.99 грн
25+158.62 грн
100+134.90 грн
250+123.56 грн
500+116.12 грн
1000+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
FDS86140
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 50 V
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.15 грн
10+161.12 грн
100+113.09 грн
500+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 FDS86140-D.PDF
FDS86140
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 2304152.pdf
FDS86140
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 2304152.pdf
FDS86140
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86140 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86140 fds86140-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 100V 11.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+132.56 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.