FDS86240 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 89.47 грн |
5000+ | 82.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS86240 onsemi
Description: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, Dauer-Drainstrom Id: 7.5, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0173, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції FDS86240 за ціною від 85.87 грн до 224.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V |
на замовлення 17460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 17032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 7.5 A, 0.0173 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 7.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0173 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0173 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS86240 | Виробник : ONSEMI | FDS86240 SMD N channel transistors |
товар відсутній |