Продукція > ONSEMI > FDS86240
FDS86240

FDS86240 onsemi

fds86240-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+96.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86240 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDS86240 за ціною від 88.55 грн до 211.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS86240 FDS86240 onsemi fds86240-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 14802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+158.50 грн
100+115.24 грн
500+93.07 грн
1000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 FDS86240 onsemi / Fairchild FDS86240_D-1808526.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 fds86240-d.pdf
FDS86240
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.8mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 75 V
на замовлення 14802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.63 грн
10+158.50 грн
100+115.24 грн
500+93.07 грн
1000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86240 FDS86240_D-1808526.pdf
FDS86240
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 16081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.