FDS86242

FDS86242 onsemi


fds86242-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.16 грн
5000+ 28.58 грн
12500+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86242 onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDS86242 за ціною від 27.26 грн до 80.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS86242 FDS86242 Виробник : ON Semiconductor fds86242-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
304+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 304
FDS86242 FDS86242 Виробник : onsemi fds86242-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 75 V
на замовлення 24497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75 грн
10+ 59.32 грн
100+ 46.16 грн
500+ 36.72 грн
1000+ 29.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS86242 FDS86242 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86242_D-2312971.pdf MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 45614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.11 грн
10+ 65.11 грн
100+ 44.09 грн
500+ 37.29 грн
1000+ 30.43 грн
2500+ 28.61 грн
5000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS86242 FDS86242 Виробник : ON Semiconductor 3649506100732385fds86242.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS86242 FDS86242 Виробник : ON Semiconductor fds86242-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS86242 FDS86242 Виробник : ON Semiconductor fds86242-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS86242 FDS86242 Виробник : ONSEMI fds86242-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
FDS86242 FDS86242 Виробник : ONSEMI fds86242-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.1A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній