FDS86252

FDS86252 ON Semiconductor


fds86252-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
625+51.66 грн
1000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86252 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDS86252 за ціною від 25.17 грн до 121.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86252 FDS86252 Виробник : onsemi / Fairchild FDS86252-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.70 грн
10+46.99 грн
100+36.19 грн
500+32.42 грн
1000+29.63 грн
2500+25.52 грн
5000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252 FDS86252 Виробник : ON Semiconductor fds86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252 FDS86252 Виробник : ON Semiconductor fds86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252 FDS86252 Виробник : onsemi fds86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.58 грн
10+74.25 грн
100+49.68 грн
500+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252 FDS86252 Виробник : ON Semiconductor fds86252-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252 FDS86252 Виробник : onsemi fds86252-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86252 Виробник : ONSEMI fds86252-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4.5A; Idm: 20A; 5W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 10.6nC
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.