Продукція > ONSEMI > FDS86267P
FDS86267P

FDS86267P onsemi

fds86267p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86267P onsemi

Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDS86267P за ціною від 40.02 грн до 166.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS86267P FDS86267P Виробник : onsemi / Fairchild fds86267p-d.pdf MOSFETs PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet
на замовлення 11977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.27 грн
10+93.81 грн
100+60.62 грн
500+41.70 грн
1000+41.42 грн
2500+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267P FDS86267P Виробник : onsemi fds86267p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.14 грн
10+102.47 грн
100+69.78 грн
500+52.34 грн
1000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86267P Виробник : ON Semiconductor fds86267p-d.pdf
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.