FDS86267P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.33 грн |
| 5000+ | 40.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS86267P onsemi
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS86267P за ціною від 42.55 грн до 128.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS86267P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS86267P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS86267P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS86267P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS86267P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 75 V |
на замовлення 11566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS86267P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PT5 150V/20V Pch PowerTrench Mosfet |
на замовлення 30640 шт: термін постачання 621-630 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS86267P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS86267P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.191 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.191ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS86267P | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 4830 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDS86267P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |