FDS8638 onsemi


fds8638-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8638 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції FDS8638 за ціною від 44.16 грн до 151.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+80.85 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.72 грн
10+80.85 грн
25+80.46 грн
100+68.17 грн
250+61.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 onsemi / Fairchild fds8638-d.pdf MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+101.82 грн
10+80.21 грн
100+55.00 грн
250+53.12 грн
500+45.52 грн
1000+44.54 грн
2500+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+109.47 грн
500+98.52 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 onsemi fds8638-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.56 грн
10+92.92 грн
50+70.18 грн
100+58.97 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ONSEMI 2304186.pdf Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
182+80.85 грн
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+90.72 грн
10+80.85 грн
25+80.46 грн
100+68.17 грн
250+61.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.82 грн
10+80.21 грн
100+55.00 грн
250+53.12 грн
500+45.52 грн
1000+44.54 грн
2500+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+109.47 грн
500+98.52 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.56 грн
10+92.92 грн
50+70.18 грн
100+58.97 грн
500+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 2304186.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.