FDS8638 onsemi


fds8638-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8638 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції FDS8638 за ціною від 40.99 грн до 198.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS8638 FDS8638 onsemi / Fairchild fds8638-d.pdf MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.50 грн
10+74.44 грн
100+51.04 грн
250+49.30 грн
500+42.25 грн
1000+41.34 грн
2500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 onsemi fds8638-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+106.74 грн
100+72.78 грн
500+54.65 грн
1000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 FDS8638 ONSEMI 2304186.pdf Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.78 грн
10+164.56 грн
100+127.90 грн
500+93.05 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+94.50 грн
10+74.44 грн
100+51.04 грн
250+49.30 грн
500+42.25 грн
1000+41.34 грн
2500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 fds8638-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.82 грн
10+106.74 грн
100+72.78 грн
500+54.65 грн
1000+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8638 2304186.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+198.78 грн
10+164.56 грн
100+127.90 грн
500+93.05 грн
1000+80.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.