Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8638 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Інші пропозиції FDS8638 за ціною від 49.25 грн до 169.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS8638 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS8638 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS8638 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench |
на замовлення 6396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 49.36 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.39 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 64.43 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 182+ | 77.55 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 87.01 грн |
| 10+ | 77.55 грн |
| 25+ | 77.18 грн |
| 100+ | 65.39 грн |
| 250+ | 59.46 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 335+ | 104.99 грн |
| 500+ | 94.49 грн |
| 1000+ | 87.14 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.34 грн |
| 10+ | 104.59 грн |
| 100+ | 71.31 грн |
| 500+ | 53.55 грн |
| 1000+ | 49.25 грн |
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Description: ONSEMI - FDS8638 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS8638 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
MOSFETs 40/20V, N Chan PowerTrench
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






