Продукція > ONSEMI > FDS86540
FDS86540

FDS86540 onsemi

FDS86540-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+96.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS86540 onsemi

Description: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS86540 за ціною від 107.18 грн до 279.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS86540 FDS86540 onsemi FDS86540-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
на замовлення 14533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.12 грн
10+177.20 грн
100+125.10 грн
500+107.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 FDS86540 onsemi / Fairchild FDS86540_D-2313255.pdf MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 FDS86540 ONSEMI 2304166.pdf Description: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 FDS86540 ONSEMI 2304166.pdf Description: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 ONN FDS86540-D.pdf
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 FDS86540-D.pdf
FDS86540
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 30 V
на замовлення 14533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.12 грн
10+177.20 грн
100+125.10 грн
500+107.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 FDS86540_D-2313255.pdf
FDS86540
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 2304166.pdf
FDS86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 2304166.pdf
FDS86540
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.0037 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86540 FDS86540-D.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.