на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 28.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8672S ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDS8672S за ціною від 31.07 грн до 142.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS8672S | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 14746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8672S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 8965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8672S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDS8672S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8672S | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V |
на замовлення 361213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8672S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8672S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDS8672S | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
FDS8672S | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench |
товару немає в наявності |