Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS8672S
FDS8672S

FDS8672S Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 361213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8672S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V.

Інші пропозиції FDS8672S за ціною від 60.24 грн до 140.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.30 грн
10+112.31 грн
100+89.41 грн
500+71.00 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi / Fairchild FDS8672S_D-2313155.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.