FDS8672S

FDS8672S ON Semiconductor


fds8672s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8672S ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції FDS8672S за ціною від 31.15 грн до 142.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
392+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds8672s-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+69.15 грн
10+68.10 грн
25+67.05 грн
50+63.63 грн
100+57.98 грн
250+54.76 грн
500+53.86 грн
1000+52.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 361213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.45 грн
10+114.03 грн
100+90.78 грн
500+72.09 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Виробник : onsemi / Fairchild FDS8672S_D-2313155.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.