Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8672S
FDS8672S

FDS8672S ON Semiconductor

fds8672s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
775+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8672S ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції FDS8672S за ціною від 18.26 грн до 140.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.48 грн
42+18.37 грн
100+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 361213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.32 грн
10+85.01 грн
25+83.70 грн
50+79.44 грн
100+72.38 грн
250+68.37 грн
500+67.24 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+121.40 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S ON Semiconductor fds8672s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.54 грн
500+121.40 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S onsemi fds8672s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+112.31 грн
100+89.41 грн
500+71.00 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FDS8672S ONSEMI FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds8672s-d.pdf Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+18.48 грн
42+18.37 грн
100+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
392+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8672S
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
на замовлення 361213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+71.63 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
184+77.14 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+86.32 грн
10+85.01 грн
25+83.70 грн
50+79.44 грн
100+72.38 грн
250+68.37 грн
500+67.24 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
261+135.54 грн
500+121.40 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
261+135.54 грн
500+121.40 грн
1000+112.21 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.30 грн
10+112.31 грн
100+89.41 грн
500+71.00 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8672S FAIR-S-A0002366298-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds8672s-d.pdf
FDS8672S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8672S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.