Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8813NZ
FDS8813NZ

FDS8813NZ ON Semiconductor

fds8813nzd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8813NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8813NZ за ціною від 41.08 грн до 156.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
на замовлення 37762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.86 грн
5000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ON Semiconductor fds8813nzd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
227+53.77 грн
230+52.94 грн
234+52.11 грн
238+49.45 грн
250+45.04 грн
500+42.53 грн
1000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ON Semiconductor fds8813nzd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+58.49 грн
13+57.61 грн
25+56.72 грн
50+53.84 грн
100+49.06 грн
250+46.33 грн
500+45.57 грн
1000+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.17 грн
500+51.08 грн
1000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS8813NZ_D-2313067.pdf MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.37 грн
10+75.14 грн
100+55.87 грн
500+50.62 грн
1000+44.31 грн
2500+42.43 грн
5000+41.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.63 грн
11+83.99 грн
100+62.17 грн
500+51.08 грн
1000+43.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
на замовлення 40892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.78 грн
10+96.77 грн
100+65.54 грн
500+48.95 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+76.96 грн
500+69.26 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+76.96 грн
500+69.26 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+76.96 грн
500+69.26 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+76.96 грн
500+69.26 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 57401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
317+76.96 грн
500+69.26 грн
1000+63.87 грн
10000+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ON Semiconductor 3663894057913833fds8813nz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.