Продукція > ONSEMI > FDS8813NZ
FDS8813NZ

FDS8813NZ onsemi

ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
на замовлення 37762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.80 грн
5000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8813NZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS8813NZ за ціною від 42.84 грн до 149.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8813NZ FDS8813NZ onsemi ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.56 грн
10+92.31 грн
100+62.52 грн
500+46.70 грн
1000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ onsemi / Fairchild FDS8813NZ_D-2313067.pdf MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ ONSM-S-A0003584271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8813NZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.56 грн
10+92.31 грн
100+62.52 грн
500+46.70 грн
1000+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8813NZ FDS8813NZ_D-2313067.pdf
FDS8813NZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.