FDS8813NZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.75 грн |
| 5000+ | 37.37 грн |
| 12500+ | 35.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8813NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS8813NZ за ціною від 37.36 грн до 126.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8813NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8813NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8813NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8813NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30 Volt N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4145 pF @ 15 V |
на замовлення 69035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8813NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS8813NZ | Виробник : ONSEMI |
FDS8813NZ SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |