FDS8840NZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.44 грн |
10+ | 104.94 грн |
100+ | 83.56 грн |
500+ | 66.35 грн |
1000+ | 56.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8840NZ onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS8840NZ за ціною від 54.28 грн до 147.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8840NZ | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET PT4 Nch with Zener |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 602-611 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8840NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDS8840NZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8840NZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8840NZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8840NZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8840NZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 18.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |