FDS8840NZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 58.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8840NZ onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції FDS8840NZ за ціною від 38.40 грн до 156.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS8840NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT4 Nch with Zener |
на замовлення 22694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS8840NZ | Виробник : onsemi |
MOSFETs PT4 Nch with Zener |
на замовлення 20012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS8840NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
