FDS8840NZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 57.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8840NZ onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS8840NZ за ціною від 40.55 грн до 182.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS8840NZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT4 Nch with Zener |
на замовлення 22694 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS8840NZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS8840NZ | onsemi |
MOSFETs PT4 Nch with Zener |
на замовлення 18240 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| FDS8840NZ |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT4 Nch with Zener
MOSFETs PT4 Nch with Zener
на замовлення 22694 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.45 грн |
| 10+ | 83.03 грн |
| 100+ | 62.56 грн |
| 500+ | 50.05 грн |
| 1000+ | 45.71 грн |
| 2500+ | 42.98 грн |
| 5000+ | 40.55 грн |
| FDS8840NZ |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7535 pF @ 20 V
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.47 грн |
| 10+ | 101.21 грн |
| 100+ | 72.42 грн |
| 500+ | 55.99 грн |
| 1000+ | 52.14 грн |



