| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.91 грн |
| 10+ | 69.97 грн |
| 100+ | 52.83 грн |
| 250+ | 52.34 грн |
| 500+ | 48.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8870 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDS8870 за ціною від 53.29 грн до 119.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8870 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDS8870 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4615 @ 15, Qg, нКл = 112 @ 10 В, Rds = 4,2 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
FDS8870 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |