Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDS8870
FDS8870

FDS8870 onsemi / Fairchild

FDS8870_D-2313227.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.19 грн
10+73.68 грн
100+55.63 грн
250+55.12 грн
500+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8870 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS8870 за ціною від 53.96 грн до 121.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8870 FDS8870 Виробник : onsemi FDS8870-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.47 грн
10+98.08 грн
100+72.46 грн
500+53.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 FDS8870 Виробник : ON Semiconductor fds8870-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 Виробник : FAIRCHILD FDS8870-D.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 Виробник : FAIRCHILD FDS8870-D.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 Виробник : FAIRCHILD FDS8870-D.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
311+97.97 грн
Мінімальне замовлення: 311
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 FDS8870 Виробник : ON Semiconductor fds8870cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 FDS8870 Виробник : ONSEMI FDS8870.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 FDS8870 Виробник : onsemi FDS8870-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8870 FDS8870 Виробник : ONSEMI FDS8870.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.