FDS8876 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 654+ | 33.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8876 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS8876 за ціною від 38.44 грн до 79.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8876 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FDS8876 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FDS8876 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 91A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC On-state resistance: 14.1mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 12.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 91A |
товару немає в наявності |