Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8878
FDS8878

FDS8878 ON Semiconductor

fds8878-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.97 грн
5000+15.88 грн
7500+15.75 грн
12500+14.99 грн
17500+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8878 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8878 за ціною від 14.47 грн до 63.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+21.64 грн
10000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.06 грн
27+26.58 грн
100+22.08 грн
250+20.35 грн
500+16.90 грн
1000+16.32 грн
3000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.26 грн
50+43.09 грн
100+29.57 грн
500+21.57 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878
Код товару: 61968
Додати до обраних Обраний товар

FDS8878-D.PDF fds8878-d.pdf 013d434a09c154699ce9ec39df0ed18f.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.19 грн
5000+17.01 грн
7500+16.87 грн
12500+16.07 грн
17500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+21.64 грн
10000+19.30 грн
100000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : Fairchild Semiconductor fds8878-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 571358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
947+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 947
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+24.81 грн
578+21.37 грн
581+21.27 грн
671+17.75 грн
1000+15.87 грн
3000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.57 грн
500+21.57 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 6904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.32 грн
10+34.75 грн
100+24.30 грн
500+18.73 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi / Fairchild 19D6BD14421BE39ACF43A8B4C7126AA7450A3D276244F10A9A13A1DAFB7257A0.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.89 грн
10+36.63 грн
100+22.52 грн
500+18.30 грн
1000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : UMW 013d434a09c154699ce9ec39df0ed18f.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.54 грн
10+38.05 грн
100+24.68 грн
500+17.78 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : UMW 013d434a09c154699ce9ec39df0ed18f.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 Виробник : ONSEMI FDS8878-D.PDF fds8878-d.pdf 013d434a09c154699ce9ec39df0ed18f.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.