Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FDS8878
FDS8878

FDS8878

FDS8878-D.PDF
Код товару: 61968
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8878 за ціною від 15.44 грн до 63.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8878 FDS8878 onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.40 грн
5000+18.15 грн
7500+18.00 грн
12500+17.14 грн
17500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.40 грн
5000+18.15 грн
7500+18.00 грн
12500+17.14 грн
17500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.73 грн
10000+22.05 грн
100000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.73 грн
10000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1427+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+28.36 грн
578+24.42 грн
581+24.31 грн
671+20.28 грн
1000+18.14 грн
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.13 грн
27+28.36 грн
100+23.55 грн
250+21.71 грн
500+18.03 грн
1000+17.41 грн
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.35 грн
10+37.88 грн
100+24.63 грн
500+17.78 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 onsemi / Fairchild 19D6BD14421BE39ACF43A8B4C7126AA7450A3D276244F10A9A13A1DAFB7257A0.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878-D.PDF
FDS8878
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.40 грн
5000+18.15 грн
7500+18.00 грн
12500+17.14 грн
17500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.40 грн
5000+18.15 грн
7500+18.00 грн
12500+17.14 грн
17500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1427+24.73 грн
10000+22.05 грн
100000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1427+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1427+24.73 грн
10000+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1427+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1427+24.73 грн
Мінімальне замовлення: 1427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
498+28.36 грн
578+24.42 грн
581+24.31 грн
671+20.28 грн
1000+18.14 грн
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 fds8878-d.pdf
FDS8878
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.13 грн
27+28.36 грн
100+23.55 грн
250+21.71 грн
500+18.03 грн
1000+17.41 грн
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878-D.PDF
FDS8878
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.35 грн
10+37.88 грн
100+24.63 грн
500+17.78 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 19D6BD14421BE39ACF43A8B4C7126AA7450A3D276244F10A9A13A1DAFB7257A0.pdf
FDS8878
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8878
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.