Продукція > ONSEMI > FDS8878
FDS8878

FDS8878 onsemi

FDS8878-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8878 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8878 за ціною від 13.96 грн до 68.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.54 грн
5000+16.41 грн
7500+16.27 грн
12500+15.49 грн
17500+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.79 грн
5000+17.58 грн
7500+17.44 грн
12500+16.60 грн
17500+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+22.36 грн
10000+19.94 грн
100000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+22.36 грн
10000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+25.64 грн
578+22.08 грн
581+21.98 грн
671+18.34 грн
1000+16.40 грн
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.91 грн
500+22.55 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+32.09 грн
27+27.47 грн
100+22.81 грн
250+21.03 грн
500+17.47 грн
1000+16.87 грн
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi / Fairchild 19D6BD14421BE39ACF43A8B4C7126AA7450A3D276244F10A9A13A1DAFB7257A0.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.29 грн
10+38.30 грн
100+23.54 грн
500+19.13 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.09 грн
50+45.04 грн
100+30.91 грн
500+22.55 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.98 грн
10+41.25 грн
100+26.82 грн
500+19.36 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878
Код товару: 61968
Додати до обраних Обраний товар

FDS8878-D.PDF Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.