FDS8878 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8878 onsemi
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS8878 за ціною від 13.37 грн до 62.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 314804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 236009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V |
на замовлення 6934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FDS8878 Код товару: 61968
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
FDS8878 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDS8878 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FDS8878 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.2A; Idm: 80A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |