FDS8878

FDS8878


FDS8878-D.PDF
Код товару: 61968
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8878 за ціною від 15.23 грн до 79.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.14 грн
5000+17.90 грн
7500+17.76 грн
12500+16.91 грн
17500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.14 грн
5000+17.90 грн
7500+17.76 грн
12500+16.91 грн
17500+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 314804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+24.40 грн
10000+21.76 грн
100000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+24.40 грн
10000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1427+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 1427
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
498+27.98 грн
578+24.10 грн
581+23.98 грн
671+20.01 грн
1000+17.89 грн
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 498
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ON Semiconductor fds8878-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+32.68 грн
27+27.98 грн
100+23.24 грн
250+21.41 грн
500+17.79 грн
1000+17.18 грн
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi / Fairchild 19D6BD14421BE39ACF43A8B4C7126AA7450A3D276244F10A9A13A1DAFB7257A0.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.73 грн
10+33.75 грн
100+20.75 грн
500+16.86 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : onsemi FDS8878-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.23 грн
10+37.81 грн
100+24.59 грн
500+17.75 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878 FDS8878 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.2 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.00 грн
50+50.27 грн
100+33.92 грн
500+24.20 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.