Продукція > ONSEMI > FDS8880
FDS8880

FDS8880 onsemi

FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.94 грн
5000+20.93 грн
12500+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8880 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS8880 за ціною від 17.87 грн до 69.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.92 грн
5000+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.06 грн
5000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
932+32.59 грн
1010+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 932
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
932+32.59 грн
1010+30.06 грн
10000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 932
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
369+32.91 грн
385+31.59 грн
500+30.45 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.50 грн
5000+30.62 грн
7500+30.46 грн
10000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
319+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8880_D-2313194.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 36642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.92 грн
10+37.57 грн
100+26.68 грн
500+22.51 грн
1000+21.60 грн
2500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.38 грн
17+40.85 грн
25+36.43 грн
100+33.62 грн
250+29.58 грн
500+26.24 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA05958798C259&compId=FDS8880.pdf?ci_sign=d754b3901a58adde7db0f6aa427e1289cdebfa33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.82 грн
11+38.14 грн
36+26.06 грн
99+24.63 грн
250+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : onsemi FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 19919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.67 грн
10+50.37 грн
100+34.88 грн
500+27.35 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA05958798C259&compId=FDS8880.pdf?ci_sign=d754b3901a58adde7db0f6aa427e1289cdebfa33 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.6A
On-state resistance: 16.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.38 грн
10+47.52 грн
36+31.27 грн
99+29.56 грн
250+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.0079 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.72 грн
50+47.28 грн
100+36.56 грн
500+27.79 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 Виробник : ON-Semicoductor FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 Виробник : Fairchild FAIRS24672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Виробник : ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.