FDS8880 ON-Semiconductor
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8880 ON-Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDS8880 за ціною від 18.09 грн до 90.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V |
на замовлення 7102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8880 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8880 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |