Продукція > ONSEMI > FDS8880
FDS8880

FDS8880 onsemi

FDS8880-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.09 грн
5000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8880 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS8880 за ціною від 17.95 грн до 92.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS8880 FDS8880 ON-Semiconductor info-tfds8880.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 Fairchild info-tfds8880.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.96 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.96 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.88 грн
316+44.93 грн
500+35.14 грн
1000+30.45 грн
2500+24.85 грн
5000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 7102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+46.82 грн
100+30.83 грн
500+22.48 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+50.65 грн
100+29.06 грн
500+22.57 грн
1000+20.50 грн
2500+18.16 грн
5000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.59 грн
50+58.96 грн
100+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.18 грн
13+62.02 грн
100+44.32 грн
500+33.42 грн
1000+27.81 грн
2500+23.53 грн
5000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 info-tfds8880.pdf
FDS8880
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 info-tfds8880.pdf
FDS8880
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8880 TFDS8880
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.96 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.96 грн
5000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
226+62.88 грн
316+44.93 грн
500+35.14 грн
1000+30.45 грн
2500+24.85 грн
5000+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
FDS8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 7102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+77.66 грн
10+46.82 грн
100+30.83 грн
500+22.48 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
FDS8880
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.35 грн
10+50.65 грн
100+29.06 грн
500+22.57 грн
1000+20.50 грн
2500+18.16 грн
5000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.59 грн
50+58.96 грн
100+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.18 грн
13+62.02 грн
100+44.32 грн
500+33.42 грн
1000+27.81 грн
2500+23.53 грн
5000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.