Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDS8880
FDS8880

FDS8880 ON-Semiconductor

info-tfds8880.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
FDS8880 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; TFDS8880
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-60 дні (днів)
Мінімальна партія: 31 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8880 ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.

Інші пропозиції FDS8880 за ціною від 20.50 грн до 95.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8880 FDS8880 Fairchild info-tfds8880.pdf FDS8880 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; TFDS8880
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
25+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.83 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.83 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ONSEMI FDS8880.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Technology: PowerTrench®
Drain current: 11.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.04 грн
11+40.92 грн
50+31.35 грн
100+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+64.84 грн
316+46.33 грн
500+36.23 грн
1000+31.40 грн
2500+25.62 грн
5000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.56 грн
10+49.56 грн
100+32.64 грн
500+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 onsemi FDS8880-D.PDF MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+88.46 грн
10+55.08 грн
100+31.61 грн
500+24.55 грн
2500+23.42 грн
5000+21.10 грн
10000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.04 грн
13+63.95 грн
100+45.70 грн
500+34.46 грн
1000+28.68 грн
2500+24.26 грн
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ON Semiconductor fds8880-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880 ONSEMI ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 info-tfds8880.pdf
FDS8880
Виробник: Fairchild
FDS8880 Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; TFDS8880
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.83 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.83 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880.pdf
FDS8880
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.6A; 2.5W; SO8
Technology: PowerTrench®
Drain current: 11.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 16.3mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.04 грн
11+40.92 грн
50+31.35 грн
100+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+64.84 грн
316+46.33 грн
500+36.23 грн
1000+31.40 грн
2500+25.62 грн
5000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
FDS8880
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 15 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.56 грн
10+49.56 грн
100+32.64 грн
500+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 FDS8880-D.PDF
FDS8880
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.46 грн
10+55.08 грн
100+31.61 грн
500+24.55 грн
2500+23.42 грн
5000+21.10 грн
10000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.04 грн
13+63.95 грн
100+45.70 грн
500+34.46 грн
1000+28.68 грн
2500+24.26 грн
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 fds8880-d.pdf
FDS8880
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8880 ONSM-S-A0013339664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8880
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8880 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.