Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS8882
FDS8882

FDS8882 Fairchild Semiconductor

FAIRS27265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 56025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
825+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 825
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8882 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS8882 за ціною від 30.46 грн до 87.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8882 FDS8882 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584185-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8882 - MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882 FDS8882 Виробник : onsemi fds8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882 Виробник : FAIRCHILD fds8882-d.pdf FAIRS27265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882 Виробник : FAIRCHILD fds8882-d.pdf FAIRS27265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDS8882-1305980.pdf MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench
на замовлення 3643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882 FDS8882 Виробник : ON Semiconductor 3659057562348232fds8882.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8882 FDS8882 Виробник : onsemi fds8882-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.