FDS8882 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS8882 - MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 31.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8882 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS8882
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDS8882 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS8882 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS8882 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench |
на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
FDS8882 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
FDS8882 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |