Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS8896
FDS8896

FDS8896

fds8896-d.pdf
Код товару: 104417
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS8896 за ціною від 18.47 грн до 88.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.78 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.67 грн
5000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.78 грн
5000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+36.41 грн
500+34.12 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ONSEMI fds8896-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.97 грн
7+62.44 грн
10+54.30 грн
50+38.52 грн
100+33.51 грн
500+25.20 грн
1000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.81 грн
10+53.53 грн
50+39.71 грн
100+33.06 грн
500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ON Semiconductor fds8896d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 onsemi fds8896-d.pdf MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 19477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ONSEMI 2304814.pdf Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FDS8896 ONSEMI 2304814.pdf Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 FAIRCHILD fds8896-d.pdf 09+
на замовлення 25018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.78 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.67 грн
5000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.78 грн
5000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
389+36.41 грн
500+34.12 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
10000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
955+37.05 грн
1036+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 110A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.97 грн
7+62.44 грн
10+54.30 грн
50+38.52 грн
100+33.51 грн
500+25.20 грн
1000+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
на замовлення 16038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.81 грн
10+53.53 грн
50+39.71 грн
100+33.06 грн
500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896d.pdf
FDS8896
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896-d.pdf
FDS8896
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 19477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 2304814.pdf
FDS8896
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 2304814.pdf
FDS8896
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8896 fds8896-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 25018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.