Інші пропозиції FDS8896 за ціною від 18.09 грн до 92.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS8896 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8896 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS8896 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V |
на замовлення 13730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 6000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS8896 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 25018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDS8896 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |