Продукція > FAIRCHILD > FDS89161
FDS89161

FDS89161 Fairchild

info-tfds89161.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 176mOhm; 2,7A; 31W; -55°C ~ 150°C; FDS89161 TFDS89161
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89161 Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS89161 за ціною від 52.85 грн до 187.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.59 грн
5000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 ONSEMI FDS89161.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Gate charge: 4.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.90 грн
25+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.44 грн
10+91.35 грн
25+90.43 грн
100+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+110.18 грн
500+99.16 грн
1000+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.13 грн
10+116.06 грн
50+88.33 грн
100+74.50 грн
500+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 onsemi fds89161-d.pdf MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161 ON Semiconductor fds89161-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.59 грн
5000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 FDS89161.pdf
FDS89161
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Power dissipation: 31W
Gate charge: 4.1nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.90 грн
25+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+103.44 грн
10+91.35 грн
25+90.43 грн
100+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+110.18 грн
500+99.16 грн
1000+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.13 грн
10+116.06 грн
50+88.33 грн
100+74.50 грн
500+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161 fds89161-d.pdf
FDS89161
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.