Продукція > ONSEMI > FDS89161LZ
FDS89161LZ

FDS89161LZ ONSEMI

2572543.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+70.06 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89161LZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS89161LZ за ціною від 43.91 грн до 161.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS89161LZ FDS89161LZ ON Semiconductor fds89161lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.31 грн
13+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ onsemi fds89161lz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.62 грн
10+95.52 грн
100+64.71 грн
500+48.37 грн
1000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ ONSEMI 2572543.pdf Description: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.17 грн
10+103.61 грн
100+70.06 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ onsemi fds89161lz-d.pdf MOSFETs PT5 100V Logic Level with Zener
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.99 грн
10+102.13 грн
100+59.98 грн
500+47.79 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ ON Semiconductor fds89161lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ fds89161lzd.pdf
FDS89161LZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+99.31 грн
13+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ fds89161lz-d.pdf
FDS89161LZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.62 грн
10+95.52 грн
100+64.71 грн
500+48.37 грн
1000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ 2572543.pdf
FDS89161LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS89161LZ - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.105ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.105ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+161.17 грн
10+103.61 грн
100+70.06 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ fds89161lz-d.pdf
FDS89161LZ
Виробник: onsemi
MOSFETs PT5 100V Logic Level with Zener
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+161.99 грн
10+102.13 грн
100+59.98 грн
500+47.79 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ fds89161lzd.pdf
FDS89161LZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.