Продукція > ONSEMI > FDS89161LZ
FDS89161LZ

FDS89161LZ onsemi

fds89161lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.40 грн
5000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS89161LZ onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS89161LZ за ціною від 37.24 грн до 149.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ON Semiconductor fds89161lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
199+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ON Semiconductor fds89161lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.04 грн
11+65.89 грн
25+65.54 грн
100+59.33 грн
250+53.69 грн
500+44.45 грн
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ON Semiconductor fds89161lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+76.87 грн
1000+69.92 грн
2500+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS89161LZ-D.pdf MOSFETs PT5 100V Logic Level with Zener
на замовлення 35898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.51 грн
10+89.34 грн
100+55.14 грн
500+44.56 грн
1000+41.59 грн
2500+39.15 грн
5000+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : onsemi fds89161lz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 302pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.13 грн
10+91.72 грн
100+62.04 грн
500+46.30 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ON Semiconductor fds89161lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ONSEMI fds89161lz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 182mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ON Semiconductor 3653720460996843fds89161lz.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS89161LZ FDS89161LZ Виробник : ONSEMI fds89161lz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2.7A; 31W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 182mΩ
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.