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FDS8928A..

FDS8928A.. ONSEMI

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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8928A.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Технічний опис FDS8928A.. ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS8928A.. - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 5.5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 670, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).