Технічний опис IRF7319TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N/P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:6.5A
- On Resistance, Rds(on):98mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
- Package/Case:8-SO
Інші пропозиції IRF7319TRPBF за ціною від 27.30 грн до 141.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7319TRPBF | Виробник : International Rectifier |
Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7319TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 64546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 14859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A |
на замовлення 10828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7319TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 64546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7319TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7319TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.5/-4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |