Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF Infineon Technologies

irf7319.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7319TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7319TRPBF за ціною від 27.84 грн до 129.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.27 грн
8000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+51.17 грн
1000+47.19 грн
10000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 104482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.29 грн
500+40.60 грн
1000+34.26 грн
5000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 104482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.92 грн
11+81.69 грн
100+58.29 грн
500+40.60 грн
1000+34.26 грн
5000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.53 грн
148+82.77 грн
200+78.63 грн
500+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.48 грн
10+78.26 грн
100+52.46 грн
500+38.84 грн
1000+35.50 грн
2000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7319_DataSheet_v01_01_EN-3363056.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.91 грн
10+87.08 грн
25+69.85 грн
100+51.82 грн
500+40.98 грн
1000+37.41 грн
2000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Сборка MOSFET транзисторов SO-8
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF
Код товару: 112886
Додати до обраних Обраний товар

irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E4670C7E3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7319pbf.pdf?ci_sign=930d6cef5388477ac5f751b53c8900a39bc7c132 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E4670C7E3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7319pbf.pdf?ci_sign=930d6cef5388477ac5f751b53c8900a39bc7c132 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.