IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF Infineon Technologies


irf7319.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7319TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7319TRPBF за ціною від 22.62 грн до 92.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.36 грн
8000+ 29.68 грн
12000+ 28.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.17 грн
8000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.37 грн
8000+ 33.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
276+42.32 грн
277+ 42.09 грн
310+ 37.64 грн
312+ 36.09 грн
500+ 30.77 грн
1000+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 276
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.75 грн
15+ 39.29 грн
25+ 39.08 грн
100+ 33.7 грн
250+ 31.03 грн
500+ 27.43 грн
1000+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 126282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.05 грн
500+ 41.42 грн
1000+ 29.7 грн
5000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7319_DataSheet_v01_01_EN-3363056.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 25918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.86 грн
10+ 54.34 грн
100+ 38.71 грн
500+ 33.91 грн
1000+ 28 грн
2000+ 27.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 18092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.2 грн
10+ 61.61 грн
100+ 47.94 грн
500+ 38.14 грн
1000+ 31.07 грн
2000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 36217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
130+89.84 грн
143+ 81.6 грн
170+ 68.5 грн
200+ 62.49 грн
500+ 51.98 грн
1000+ 41.91 грн
2000+ 40.34 грн
4000+ 37.51 грн
8000+ 37.01 грн
Мінімальне замовлення: 130
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 126282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+92.15 грн
11+ 70.92 грн
100+ 52.05 грн
500+ 41.42 грн
1000+ 29.7 грн
5000+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF
Код товару: 112886
irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній