Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF

irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
Код товару: 112886
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7319TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N/P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:6.5A
  • On Resistance, Rds(on):98mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

Інші пропозиції IRF7319TRPBF за ціною від 27.61 грн до 142.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.83 грн
8000+28.63 грн
12000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF International Rectifier irf7319.pdf description Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори
на замовлення 210 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.27 грн
8000+41.44 грн
12000+39.99 грн
20000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+44.61 грн
8000+41.76 грн
12000+40.29 грн
20000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.15 грн
250+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.89 грн
250+63.59 грн
1000+42.89 грн
2000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+74.43 грн
100+49.86 грн
500+36.89 грн
1000+33.70 грн
2000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7319_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 10828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.35 грн
10+79.98 грн
100+48.17 грн
500+38.26 грн
1000+34.95 грн
2000+32.21 грн
4000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.47 грн
150+94.11 грн
152+93.17 грн
154+88.53 грн
210+60.03 грн
250+57.04 грн
500+44.26 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.76 грн
50+91.89 грн
250+63.59 грн
1000+42.89 грн
2000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+31.83 грн
8000+28.63 грн
12000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: International Rectifier
Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори
на замовлення 210 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+44.27 грн
8000+41.44 грн
12000+39.99 грн
20000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+44.61 грн
8000+41.76 грн
12000+40.29 грн
20000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
205+69.15 грн
250+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.89 грн
250+63.59 грн
1000+42.89 грн
2000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 14859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.84 грн
10+74.43 грн
100+49.86 грн
500+36.89 грн
1000+33.70 грн
2000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description Infineon_IRF7319_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 10828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.35 грн
10+79.98 грн
100+48.17 грн
500+38.26 грн
1000+34.95 грн
2000+32.21 грн
4000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
107+132.47 грн
150+94.11 грн
152+93.17 грн
154+88.53 грн
210+60.03 грн
250+57.04 грн
500+44.26 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+142.76 грн
50+91.89 грн
250+63.59 грн
1000+42.89 грн
2000+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.