Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF

infineon-irf7319-datasheet-en.pdf
Код товару: 112886
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7319TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N/P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:6.5A
  • On Resistance, Rds(on):98mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:8-SO

Інші пропозиції IRF7319TRPBF за ціною від 24.01 грн до 121.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7319-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.79 грн
12000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF International Rectifier irf7319.pdf description Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори
на замовлення 210 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
23+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+48.82 грн
1000+45.02 грн
10000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7319-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.68 грн
10+66.30 грн
50+49.53 грн
100+41.39 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies infineon_irf7319_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 14989 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+118.50 грн
10+54.93 грн
100+42.54 грн
500+33.34 грн
1000+32.31 грн
2000+29.66 грн
4000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 57866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 58171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description infineon-irf7319-datasheet-en.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.79 грн
12000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: International Rectifier
Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори
на замовлення 210 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
743+48.82 грн
1000+45.02 грн
10000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description infineon-irf7319-datasheet-en.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.68 грн
10+66.30 грн
50+49.53 грн
100+41.39 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description infineon_irf7319_datasheet_en.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
на замовлення 14989 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.50 грн
10+54.93 грн
100+42.54 грн
500+33.34 грн
1000+32.31 грн
2000+29.66 грн
4000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319.pdf
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 57866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7319TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 58171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.