Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8935
FDS8935

FDS8935 ON Semiconductor

fds8935-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+131.93 грн
5000+121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8935 ON Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FDS8935 за ціною від 130.80 грн до 142.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8935 FDS8935 Виробник : ON Semiconductor fds8935-d.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+142.08 грн
5000+130.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935 Виробник : ONSEMI fds8935-d.pdf FDS8935 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935 FDS8935 Виробник : ON Semiconductor fds8935-d.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935 FDS8935 Виробник : onsemi fds8935-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935 FDS8935 Виробник : onsemi fds8935-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 183mOhm @ 2.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8935 FDS8935 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8935_D-1808653.pdf MOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.