Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS8947A
FDS8947A

FDS8947A Fairchild Semiconductor

FAIRS02413-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8947A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Bulk, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual).

Інші пропозиції FDS8947A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8947A Виробник : FAIRCHILD FAIRS02413-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8947A.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947A FDS8947A Виробник : onsemi FDS8947A.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8947A FDS8947A Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS02413-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8947A.pdf MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.