
FDS8958A-F085 ON Semiconductor
на замовлення 27189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
286+ | 106.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS8958A-F085 ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDS8958A-F085
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS8958A-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
FDS8958A-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDS8958A-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDS8958A-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |