Продукція > ONSEMI > FDS8958B
FDS8958B

FDS8958B ONSEMI

ONSM-S-A0013180314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.60 грн
50+41.76 грн
100+32.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8958B ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS8958B за ціною від 20.89 грн до 99.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8958B FDS8958B Виробник : onsemi / Fairchild FDS8958B_D-2312975.pdf MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
на замовлення 82808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.07 грн
10+40.27 грн
100+27.88 грн
500+25.16 грн
1000+23.10 грн
2500+21.48 грн
5000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : onsemi FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+60.23 грн
100+39.80 грн
500+29.12 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : onsemi FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±25V
On-state resistance: 39/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.