Продукція > ONSEMI > FDS8958B
FDS8958B

FDS8958B onsemi

FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.34 грн
5000+ 20.38 грн
12500+ 18.87 грн
25000+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8958B onsemi

Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS8958B за ціною від 18.86 грн до 58.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013180314-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.24 грн
500+ 23.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.24 грн
21+ 28.48 грн
27+ 21.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDS8958B FDS8958B Виробник : onsemi / Fairchild FDS8958B_D-2312975.pdf MOSFET 30V 6.4A Dual N&P Ch PowerTrench
на замовлення 84012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.77 грн
10+ 36.74 грн
100+ 25.18 грн
500+ 22.72 грн
1000+ 20.86 грн
2500+ 19.4 грн
5000+ 18.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI 1863420.pdf Description: ONSEMI - FDS8958B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+46.87 грн
19+ 39.72 грн
100+ 28.24 грн
500+ 23.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDS8958B FDS8958B Виробник : onsemi FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 28875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.92 грн
10+ 49.06 грн
100+ 33.96 грн
500+ 26.63 грн
1000+ 22.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8958B FDS8958B Виробник : ON Semiconductor fds8958b-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
On-state resistance: 39/72mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20/±25V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS8958B FDS8958B Виробник : ONSEMI FAIRS46398-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.4/-4.5A
On-state resistance: 39/72mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20/±25V
товар відсутній