FDS8962C FAIRCHILD


FDS8962C.pdf
Виробник: FAIRCHILD
SO-8
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8962C FAIRCHILD

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 900mW.

Інші пропозиції FDS8962C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8962C FDS8962C Виробник : onsemi FDS8962C.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8962C FDS8962C Виробник : onsemi / Fairchild FDS8962C.pdf MOSFETs SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.