Продукція > ONSEMI > FDS8978
FDS8978

FDS8978 ONSEMI

1729182.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.05 грн
500+29.86 грн
2500+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8978 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS8978 за ціною від 12.69 грн до 110.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8978 FDS8978 Виробник : UMW 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.02 грн
10+30.84 грн
100+19.80 грн
500+14.13 грн
1000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
168+72.81 грн
169+72.08 грн
217+56.22 грн
250+52.93 грн
500+40.87 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 168
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+75.20 грн
10+67.61 грн
25+66.93 грн
100+50.34 грн
250+45.51 грн
500+36.43 грн
1000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.85 грн
13+65.69 грн
100+47.05 грн
500+29.86 грн
2500+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : onsemi fds8978-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.68 грн
10+67.35 грн
100+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 Виробник : Fairchild fds8978-d.pdf 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf 2x N-MOSFET 30V 7.5A 1.6W FDS8978 TFDS8978
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 Виробник : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 Виробник : ONSEMI fds8978-d.pdf 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf FDS8978 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : ON Semiconductor fds8978-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : onsemi fds8978-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : UMW 2be1a87b7a2cbad3cc3c9425d69f8f68.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8978_D-2312938.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.