Продукція > ONSEMI > FDS8984
FDS8984

FDS8984 onsemi

FDS8984-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.85 грн
5000+16.61 грн
7500+16.52 грн
12500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8984 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS8984 за ціною від 18.67 грн до 60.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.81 грн
5000+20.27 грн
10000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.51 грн
5000+21.85 грн
10000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.23 грн
5000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.01 грн
19+39.98 грн
25+39.70 грн
100+30.64 грн
500+23.99 грн
1000+21.50 грн
3000+20.12 грн
6000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 onsemi FDS8984-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 41836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+41.12 грн
100+28.02 грн
500+21.03 грн
1000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 onsemi / Fairchild FDS8984-D.PDF MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 42386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.81 грн
5000+20.27 грн
10000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.51 грн
5000+21.85 грн
10000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.23 грн
5000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
357+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.01 грн
19+39.98 грн
25+39.70 грн
100+30.64 грн
500+23.99 грн
1000+21.50 грн
3000+20.12 грн
6000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984-D.PDF
FDS8984
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 41836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.44 грн
10+41.12 грн
100+28.02 грн
500+21.03 грн
1000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984-D.PDF
FDS8984
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 42386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 fds8984-d.pdf
FDS8984
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.