Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8984
FDS8984

FDS8984 ON Semiconductor

fds8984-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.90 грн
5000+17.57 грн
10000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8984 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS8984 за ціною від 15.03 грн до 81.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.92 грн
5000+17.58 грн
10000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi FAIRS24790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.02 грн
5000+17.64 грн
7500+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.80 грн
5000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.12 грн
500+28.84 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.06 грн
19+32.18 грн
25+31.95 грн
100+24.66 грн
500+19.31 грн
1000+17.30 грн
3000+16.20 грн
6000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI FAIRS24790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.64 грн
50+41.49 грн
100+33.35 грн
500+24.35 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8984_D-2312851.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 63358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.45 грн
10+46.80 грн
100+28.67 грн
500+23.98 грн
1000+21.03 грн
2500+17.78 грн
5000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi FAIRS24790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.82 грн
10+49.01 грн
100+32.09 грн
500+23.32 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 Виробник : ONSEMI FAIRS24790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS8984 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.