Продукція > ONSEMI > FDS8984
FDS8984

FDS8984 onsemi

FDS8984-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.03 грн
5000+17.71 грн
7500+17.61 грн
12500+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8984 onsemi

Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS8984 за ціною від 17.41 грн до 73.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.09 грн
5000+17.74 грн
10000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.04 грн
5000+20.48 грн
10000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.08 грн
5000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI FDS8984-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.07 грн
500+27.21 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+47.83 грн
19+37.49 грн
25+37.22 грн
100+28.73 грн
500+22.50 грн
1000+20.16 грн
3000+18.87 грн
6000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi FDS8984-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 41836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.44 грн
10+43.83 грн
100+29.87 грн
500+22.42 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8984-D.PDF MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 42386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.45 грн
10+47.16 грн
100+28.10 грн
500+22.60 грн
1000+20.24 грн
2500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI FDS8984-D.PDF Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.85 грн
50+53.20 грн
100+36.07 грн
500+27.21 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE718E053844259&compId=FDS8984.pdf?ci_sign=1b0f59e76abca5ef03dcb0e3b1dfebba81112357 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1.6W; SO8
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.