Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS8984
FDS8984

FDS8984 ON Semiconductor

fds8984-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS8984 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS8984 за ціною від 15.04 грн до 58.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi FAIRS24790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.8 грн
5000+ 16.24 грн
12500+ 15.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.04 грн
5000+ 16.77 грн
10000+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.06 грн
5000+ 16.78 грн
10000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.53 грн
500+ 25.45 грн
1000+ 18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi FAIRS24790-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 17422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.94 грн
10+ 39.08 грн
100+ 27.07 грн
500+ 21.23 грн
1000+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS8984 FDS8984 Виробник : onsemi / Fairchild FDS8984_D-2312851.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 93836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.71 грн
10+ 43.45 грн
100+ 26.17 грн
500+ 21.83 грн
1000+ 18.63 грн
2500+ 15.89 грн
5000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+58.79 грн
16+ 49.5 грн
100+ 34.53 грн
500+ 25.45 грн
1000+ 18.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8984 FDS8984 Виробник : ON Semiconductor fds8984-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI FDS8984.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS8984 FDS8984 Виробник : ONSEMI FDS8984.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній