Технічний опис FDS9400A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 3.4, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції FDS9400A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS9400A | Виробник : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC |
на замовлення 4493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDS9400A | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SO-8 |
на замовлення 3494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
FDS9400A | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDS9400A | Виробник : FAIRCHIL |
09+ SOP8 |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS9400A | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS9400A | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS9400A | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDS9400A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDS9400A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
|
 |
FDS9400A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.4A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FDS9400A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.4A; Idm: -10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.4A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |