Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS9400A
FDS9400A

FDS9400A Fairchild Semiconductor

FAIRS15620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 26104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
574+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 574
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9400A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS9400A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS9400A FDS9400A Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDS9400A-D-1808655.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A Виробник : FAIRCHILD fds9400a-d.pdf FAIRS15620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A FDS9400A Виробник : onsemi fds9400a-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A FDS9400A Виробник : onsemi fds9400a-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.