Інші пропозиції FDS9431A за ціною від 15.91 грн до 90.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS9431A | Виробник : TECH PUBLIC |
 Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm; 7,5A; 2,4W; -50°C~150°C; FDS9431A TFDS9431a TECкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDS9431A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS9431A | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS9431A | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4470 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS9431A | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 583 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS9431A | Виробник : ON-Semiconductor |
P-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS9431A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V |
на замовлення 30388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDS9431A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDS9431A | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальный ПТ (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W)... Група товару: Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDS9431A | Виробник : ONS/FAI |
SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDS9431A | Виробник : TECH PUBLIC |
SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |