Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS9933A
FDS9933A

FDS9933A ON Semiconductor

3346271787089813fds9933a.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
251+46.52 грн
253+ 46.28 грн
288+ 40.54 грн
291+ 38.7 грн
500+ 32.88 грн
1000+ 27.95 грн
Мінімальне замовлення: 251
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9933A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDS9933A за ціною від 25.04 грн до 82.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.68 грн
14+ 43.19 грн
25+ 42.98 грн
100+ 36.3 грн
250+ 33.28 грн
500+ 29.31 грн
1000+ 25.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS9933A FDS9933A Виробник : ONSEMI 2304306.pdf Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.75 грн
14+ 55.73 грн
100+ 43.55 грн
500+ 33.44 грн
1000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS9933A FDS9933A Виробник : onsemi / Fairchild FDS9933A_D-2312915.pdf MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.95 грн
10+ 59.12 грн
100+ 40.69 грн
500+ 34.96 грн
1000+ 29.1 грн
2500+ 28.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS9933A FDS9933A Виробник : onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.12 грн
10+ 70.89 грн
100+ 55.27 грн
500+ 42.85 грн
1000+ 33.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ON Semiconductor 3346271787089813fds9933a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ONSEMI fds9933a-d.pdf FAIRS15939-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS15939-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
FDS9933A FDS9933A Виробник : ONSEMI fds9933a-d.pdf FAIRS15939-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Case: SO8
товар відсутній