
FDS9933A onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 31.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS9933A onsemi
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS9933A за ціною від 27.07 грн до 100.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS9933A | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS9933A | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS9933A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 6255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDS9933A | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS9933A | Виробник : Aptina Imaging |
![]() |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS9933A | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
FDS9933A | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |