Продукція > ONSEMI > FDS9933A
FDS9933A

FDS9933A onsemi

fds9933a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9933A onsemi

Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS9933A за ціною від 34.12 грн до 123.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS9933A FDS9933A ON Semiconductor fds9933ad.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.62 грн
25+44.90 грн
50+42.61 грн
100+38.81 грн
250+36.65 грн
500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A ON Semiconductor fds9933ad.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
311+45.62 грн
315+44.90 грн
321+44.18 грн
326+41.92 грн
331+38.18 грн
500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A ON Semiconductor fds9933ad.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
10000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A ON Semiconductor fds9933ad.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.70 грн
10+75.52 грн
100+50.52 грн
500+37.36 грн
1000+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A onsemi fds9933a-d.pdf MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A ONSEMI 2304306.pdf Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933ad.pdf
FDS9933A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.62 грн
25+44.90 грн
50+42.61 грн
100+38.81 грн
250+36.65 грн
500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933ad.pdf
FDS9933A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
311+45.62 грн
315+44.90 грн
321+44.18 грн
326+41.92 грн
331+38.18 грн
500+36.04 грн
Мінімальне замовлення: 311 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933ad.pdf
FDS9933A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
10000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933ad.pdf
FDS9933A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
601+58.85 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933a-d.pdf
FDS9933A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.70 грн
10+75.52 грн
100+50.52 грн
500+37.36 грн
1000+34.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933a-d.pdf
FDS9933A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A 2304306.pdf
FDS9933A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.