Продукція > ONSEMI > FDS9933A
FDS9933A

FDS9933A onsemi

fds9933a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9933A onsemi

Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS9933A за ціною від 28.28 грн до 117.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS9933A FDS9933A onsemi / Fairchild FDS9933A_D-2312915.pdf MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.28 грн
10+61.75 грн
100+40.71 грн
500+32.89 грн
1000+30.51 грн
2500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A onsemi fds9933a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+64.53 грн
100+45.09 грн
500+34.15 грн
1000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A ONSEMI fds9933a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.31 грн
11+74.62 грн
100+49.86 грн
500+33.51 грн
1000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A FDS9933A_D-2312915.pdf
FDS9933A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+82.28 грн
10+61.75 грн
100+40.71 грн
500+32.89 грн
1000+30.51 грн
2500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933a-d.pdf
FDS9933A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 6255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.77 грн
10+64.53 грн
100+45.09 грн
500+34.15 грн
1000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9933A fds9933a-d.pdf
FDS9933A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9933A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.31 грн
11+74.62 грн
100+49.86 грн
500+33.51 грн
1000+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.