FDS9934C onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 22.87 грн |
| 5000+ | 20.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS9934C onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції FDS9934C за ціною від 18.96 грн до 56.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 302500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 5221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDS9934C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Complementary PowerTrench |
на замовлення 19105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
FDS9934C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 6.5/-5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12/±10V On-state resistance: 50/90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDS9934C | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 6.5/-5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12/±10V On-state resistance: 50/90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9/12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |