Продукція > FAIRCHAILD > FDS9953A

FDS9953A Fairchaild

fds9953a-d.pdf Виробник: Fairchaild
Транз. пол. SOIC8 MOSFET 2 P-Channel (Dual) 30 V 2,9 A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.67 грн
10+36.69 грн
100+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS9953A Fairchaild

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції FDS9953A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS9953A Виробник : FAIRCHIL fds9953a-d.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A Виробник : Fairchild fds9953a-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A Виробник : FAIRCHILD fds9953a-d.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A Виробник : FAIRCHILD fds9953a-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A Виробник : ON Semiconductor 3661921907408082fds9953a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A Виробник : ONSEMI 705114.pdf Description: ONSEMI - FDS9953A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A Виробник : onsemi fds9953a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A Виробник : onsemi fds9953a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9953A FDS9953A Виробник : onsemi / Fairchild FDS9953A_D-2312977.pdf MOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.