Технічний опис FDS9953A FAIRCHIL
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC. 
Інші пропозиції FDS9953A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
| FDS9953A | Виробник : Fairchild |   | на замовлення 5000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| FDS9953A | Виробник : FAIRCHILD |  07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
| FDS9953A | Виробник : FAIRCHILD |  SO-8 | на замовлення 41000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
|   | FDS9953A | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | |
|   | FDS9953A | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDS9953A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.9 A, 0.095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | |
|   | FDS9953A | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | |
|   | FDS9953A | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | |
|   | FDS9953A | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs SO-8 | товару немає в наявності |