FDSS2407 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDSS2407 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 457299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 62.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDSS2407 ONSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.27W, Drain to Source Voltage (Vdss): 62V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDSS2407
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDSS2407 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SO8 DUAL PCH |
на замовлення 2162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDSS2407 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDSS2407 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
FDSS2407 Код товару: 171191 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
 |
FDSS2407 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.27W Drain to Source Voltage (Vdss): 62V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
|
|
FDSS2407 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 62V 3.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.27W Drain to Source Voltage (Vdss): 62V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |