Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDT1600N10ALZ
FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ onsemi / Fairchild

FDT1600N10ALZ-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.82 грн
10+47.47 грн
100+28.20 грн
500+22.72 грн
1000+20.54 грн
2000+18.78 грн
4000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT1600N10ALZ onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDT1600N10ALZ за ціною від 24.33 грн до 88.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+75.67 грн
10+50.88 грн
50+35.21 грн
100+30.22 грн
250+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.45 грн
10+51.35 грн
100+33.77 грн
500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.61 грн
10+54.75 грн
100+31.29 грн
500+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ Виробник : ONN fdt1600n10alz-d.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.