FDT1600N10ALZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 21.46 грн |
| 8000+ | 19.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT1600N10ALZ onsemi
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.42W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDT1600N10ALZ за ціною від 16.62 грн до 72.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT1600N10ALZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 10.42W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 25002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDT1600N10ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT1600N10ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT1600N10ALZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V |
на замовлення 9487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDT1600N10ALZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT1600N10ALZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223 Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2602 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDT1600N10ALZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC |
на замовлення 25303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT1600N10ALZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 10.42W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 25002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDT1600N10ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
FDT1600N10ALZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |