Продукція > ONSEMI > FDT1600N10ALZ
FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ onsemi


fdt1600n10alz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.51 грн
8000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT1600N10ALZ onsemi

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.42W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDT1600N10ALZ за ціною від 16.66 грн до 76.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.21 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
254+48.22 грн
283+43.23 грн
347+35.17 грн
376+31.33 грн
500+25.46 грн
1000+19.81 грн
3000+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 254
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.08 грн
14+44.77 грн
25+40.14 грн
100+31.49 грн
250+26.94 грн
500+22.69 грн
1000+18.40 грн
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+47.21 грн
100+32.71 грн
500+25.65 грн
1000+21.83 грн
2000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi / Fairchild FDT1600N10ALZ_D-2312877.pdf MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 25303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.84 грн
10+54.99 грн
100+31.78 грн
500+24.87 грн
1000+22.51 грн
2000+20.53 грн
4000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.79 грн
14+60.41 грн
100+38.21 грн
500+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf FDT1600N10ALZ SMD N channel transistors
на замовлення 3259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.16 грн
34+31.91 грн
93+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alz.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.