Продукція > ONSEMI > FDT1600N10ALZ
FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ onsemi

fdt1600n10alz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+21.04 грн
8000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT1600N10ALZ onsemi

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.42W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDT1600N10ALZ за ціною від 20.79 грн до 94.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.92 грн
366+38.66 грн
387+36.58 грн
527+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.61 грн
267+53.04 грн
351+40.33 грн
373+36.61 грн
583+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.28 грн
10+55.02 грн
50+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.92 грн
13+58.61 грн
25+53.04 грн
100+38.89 грн
250+33.89 грн
500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 22334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.14 грн
50+42.40 грн
100+35.32 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ onsemi fdt1600n10alz-d.pdf MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ onsemi / Fairchild FDT1600N10ALZ-D.PDF MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ ONN fdt1600n10alz-d.pdf
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alzd.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alzd.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alzd.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+50.92 грн
366+38.66 грн
387+36.58 грн
527+25.91 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alzd.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+58.61 грн
267+53.04 грн
351+40.33 грн
373+36.61 грн
583+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.28 грн
10+55.02 грн
50+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alzd.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.92 грн
13+58.61 грн
25+53.04 грн
100+38.89 грн
250+33.89 грн
500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 22334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.84 грн
10+57.14 грн
50+42.40 грн
100+35.32 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ-D.PDF
FDT1600N10ALZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 6394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ 2552630.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ 2552630.pdf
FDT1600N10ALZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ fdt1600n10alz-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.