Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT1600N10ALZ
FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ ON Semiconductor

fdt1600n10alzd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT1600N10ALZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.42W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDT1600N10ALZ за ціною від 18.55 грн до 78.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.27 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+43.61 грн
366+33.11 грн
387+31.33 грн
527+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.20 грн
267+45.42 грн
351+34.54 грн
373+31.35 грн
583+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.31 грн
10+46.79 грн
25+39.46 грн
34+27.41 грн
93+25.91 грн
250+25.76 грн
500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.16 грн
10+47.02 грн
100+32.08 грн
500+24.29 грн
1000+22.03 грн
2000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.81 грн
14+62.09 грн
100+39.27 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi / Fairchild FDT1600N10ALZ-D.PDF MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 6694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.07 грн
10+51.04 грн
100+30.32 грн
500+24.42 грн
1000+22.08 грн
2000+20.19 грн
4000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+75.17 грн
13+53.78 грн
25+48.67 грн
100+35.68 грн
250+31.10 грн
500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 10.42W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.38 грн
10+58.30 грн
25+47.35 грн
34+32.89 грн
93+31.10 грн
250+30.91 грн
500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alz.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.