Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT1600N10ALZ
FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ ON Semiconductor

fdt1600n10alzd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT1600N10ALZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10.42W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDT1600N10ALZ за ціною від 16.66 грн до 80.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.76 грн
8000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.65 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+43.92 грн
366+33.35 грн
387+31.56 грн
527+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+50.56 грн
267+45.75 грн
351+34.79 грн
373+31.58 грн
583+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi fdt1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 9487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.15 грн
10+47.75 грн
100+33.09 грн
500+25.94 грн
1000+22.08 грн
2000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.60 грн
10+39.61 грн
25+34.42 грн
34+26.98 грн
93+25.50 грн
250+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+65.62 грн
13+46.95 грн
25+42.49 грн
100+31.15 грн
250+27.15 грн
500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI fdt1600n10alz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; 10.42W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.12 грн
10+49.36 грн
25+41.30 грн
34+32.37 грн
93+30.60 грн
250+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ONSEMI 2552630.pdf Description: ONSEMI - FDT1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.121 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.42W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 25002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.63 грн
14+61.11 грн
100+38.65 грн
500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : onsemi / Fairchild fdt1600n10alz-d.pdf MOSFETs 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC
на замовлення 11205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.04 грн
10+54.43 грн
100+32.22 грн
500+26.57 грн
1000+22.99 грн
2000+20.76 грн
4000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT1600N10ALZ FDT1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdt1600n10alz.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.