
FDT458P ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 20.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT458P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDT458P за ціною від 18.93 грн до 102.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDT458P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT458P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT458P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V |
на замовлення 6098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDT458P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3468 шт: термін постачання 1002-1011 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDT458P | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FDT458P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FDT458P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |