Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT458P
FDT458P

FDT458P ON Semiconductor

fdt458pcn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT458P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDT458P за ціною від 19.70 грн до 83.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT458P FDT458P Виробник : onsemi fdt458p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P Виробник : ON Semiconductor fdt458p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.06 грн
8000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P Виробник : onsemi fdt458p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 15 V
на замовлення 6098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.83 грн
10+48.53 грн
100+33.59 грн
500+26.34 грн
1000+22.42 грн
2000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P Виробник : onsemi / Fairchild FDT458P_D-2313009.pdf MOSFET 30V P-Ch PowerTrench
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 1002-1011 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.99 грн
10+55.42 грн
100+32.91 грн
500+27.42 грн
1000+23.37 грн
2000+21.15 грн
4000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P Виробник : ONSEMI 2303972.pdf Description: ONSEMI - FDT458P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.96 грн
50+50.72 грн
250+37.52 грн
1000+25.46 грн
2000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P Виробник : ONSEMI fdt458p-d.pdf FDT458P SMD P channel transistors
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.06 грн
38+29.78 грн
104+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P Виробник : ON Semiconductor fdt458p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT458P FDT458P Виробник : ON Semiconductor fdt458p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.