Продукція > ONSEMI > FDT4N50NZU
FDT4N50NZU

FDT4N50NZU onsemi

fdt4n50nzu-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+34.40 грн
8000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT4N50NZU onsemi

Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDT4N50NZU за ціною від 33.97 грн до 146.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT4N50NZU FDT4N50NZU ONSEMI fdt4n50nzu-d.pdf Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.27 грн
500+46.81 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU FDT4N50NZU onsemi fdt4n50nzu-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 15453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+74.83 грн
100+53.26 грн
500+39.59 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU FDT4N50NZU ONSEMI fdt4n50nzu-d.pdf Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.37 грн
10+91.27 грн
100+63.56 грн
500+46.73 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU onsemi fdt4n50nzu-d.pdf MOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.90 грн
10+89.97 грн
100+52.72 грн
500+41.80 грн
1000+38.34 грн
2000+34.04 грн
4000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU fdt4n50nzu-d.pdf
FDT4N50NZU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.42ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+60.27 грн
500+46.81 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU fdt4n50nzu-d.pdf
FDT4N50NZU
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 15453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.46 грн
10+74.83 грн
100+53.26 грн
500+39.59 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU fdt4n50nzu-d.pdf
FDT4N50NZU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT4N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+146.37 грн
10+91.27 грн
100+63.56 грн
500+46.73 грн
1000+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT4N50NZU fdt4n50nzu-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+143.90 грн
10+89.97 грн
100+52.72 грн
500+41.80 грн
1000+38.34 грн
2000+34.04 грн
4000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.