FDT86102LZ

FDT86102LZ MULTICOMP PRO


4419345.pdf Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.66 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86102LZ MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDT86102LZ за ціною від 21.56 грн до 185.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : MULTICOMP PRO 4419345.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.58 грн
27+30.63 грн
100+27.66 грн
500+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+164.91 грн
10+148.34 грн
25+145.94 грн
100+113.58 грн
250+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.31 грн
10+119.95 грн
100+85.70 грн
500+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+177.59 грн
77+159.75 грн
78+157.17 грн
100+122.31 грн
250+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.95 грн
50+128.43 грн
250+92.21 грн
1000+66.13 грн
2000+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDT86102LZ_D-2313320.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 41924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.80 грн
10+125.76 грн
100+80.00 грн
500+65.91 грн
1000+64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ Виробник : ON-Semicoductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+100.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ Виробник : ONSEMI fdt86102lz-d.pdf FDT86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.