Продукція > ONSEMI > FDT86102LZ
FDT86102LZ

FDT86102LZ onsemi

fdt86102lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86102LZ onsemi

Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDT86102LZ за ціною від 32.12 грн до 184.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+57.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+70.85 грн
176+69.38 грн
208+58.89 грн
209+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+72.75 грн
4000+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.82 грн
169+72.32 грн
208+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.35 грн
10+68.54 грн
25+67.15 грн
100+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+87.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi fdt86102lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.23 грн
10+76.12 грн
100+51.42 грн
500+38.99 грн
1000+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.22 грн
250+93.49 грн
1000+67.05 грн
2000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild fdt86102lz-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 32021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.51 грн
10+116.38 грн
25+85.58 грн
100+61.47 грн
250+60.20 грн
500+47.77 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003587627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.022 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.48 грн
50+130.22 грн
250+93.49 грн
1000+67.05 грн
2000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : MULTICOMP PRO 4419345.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : MULTICOMP PRO 4419345.pdf Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ Виробник : ON-Semicoductor fdt86102lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+100.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0EC1CFCD6259&compId=FDT86102LZ.pdf?ci_sign=d9e25bb26a55ad7117a467467d200b2ca256a9e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86102lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86102LZ FDT86102LZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFEA0EC1CFCD6259&compId=FDT86102LZ.pdf?ci_sign=d9e25bb26a55ad7117a467467d200b2ca256a9e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.