FDT86102LZ MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.56 грн |
| 500+ | 25.13 грн |
| 1000+ | 16.56 грн |
| 5000+ | 14.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86102LZ MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDT86102LZ за ціною від 14.47 грн до 132.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 32021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223 Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 46mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 6.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V |
товару немає в наявності |