FDT86102LZ onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.88 грн |
| 10+ | 57.10 грн |
| 100+ | 37.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86102LZ onsemi
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDT86102LZ за ціною від 29.21 грн до 132.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86102LZ | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 6.6A FDT86102LZ TFDT86102LZ кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 32021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86102LZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDT86102LZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.6A; 2.2W; SOT223 Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC On-state resistance: 46mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 6.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V |
товару немає в наявності |