Продукція > ONSEMI > FDT86106LZ
FDT86106LZ

FDT86106LZ onsemi

fdt86106lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86106LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDT86106LZ за ціною від 21.43 грн до 155.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+47.91 грн
268+47.42 грн
271+46.78 грн
275+44.48 грн
500+40.62 грн
1000+38.43 грн
3000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+53.86 грн
15+51.33 грн
25+50.81 грн
100+48.33 грн
250+44.13 грн
500+41.78 грн
1000+41.18 грн
3000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+65.12 грн
1000+59.43 грн
4000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+73.15 грн
500+65.83 грн
1000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+121.65 грн
150+84.48 грн
200+83.38 грн
500+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : onsemi fdt86106lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.61 грн
10+88.91 грн
100+59.95 грн
500+44.64 грн
1000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : onsemi FDT86106LZ-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.96 грн
10+98.24 грн
100+57.35 грн
500+45.48 грн
1000+41.69 грн
2000+40.26 грн
4000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ Виробник : Fairchild fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ
Код товару: 133317
Додати до обраних Обраний товар

fdt86106lz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ONSEMI fdt86106lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.