Продукція > ONSEMI > FDT86106LZ
FDT86106LZ

FDT86106LZ onsemi


fdt86106lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+37.25 грн
8000+ 34.16 грн
12000+ 32.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86106LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDT86106LZ за ціною від 20.88 грн до 97.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : onsemi fdt86106lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 14121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.37 грн
10+ 71 грн
100+ 55.19 грн
500+ 43.9 грн
1000+ 35.76 грн
2000+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : onsemi / Fairchild FDT86106LZ_D-2312940.pdf MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 20469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.46 грн
10+ 78.53 грн
100+ 53.31 грн
500+ 45.22 грн
1000+ 36.8 грн
2000+ 34.67 грн
4000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDT86106LZ Виробник : Fairchild fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDT86106LZ
Код товару: 133317
fdt86106lz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ONSEMI fdt86106lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ONSEMI fdt86106lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.2W
On-state resistance: 189mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній