Продукція > ONSEMI > FDT86106LZ
FDT86106LZ

FDT86106LZ onsemi

fdt86106lz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86106LZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDT86106LZ за ціною від 20.28 грн до 152.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.91 грн
268+46.43 грн
271+45.81 грн
275+43.56 грн
500+39.77 грн
1000+37.63 грн
3000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+52.74 грн
15+50.26 грн
25+49.75 грн
100+47.32 грн
250+43.21 грн
500+40.90 грн
1000+40.32 грн
3000+39.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+63.76 грн
1000+58.19 грн
4000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
434+71.62 грн
500+64.46 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+119.11 грн
150+82.71 грн
200+81.64 грн
500+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : onsemi fdt86106lz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 50 V
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.59 грн
10+87.05 грн
100+58.70 грн
500+43.71 грн
1000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : onsemi FDT86106LZ-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.70 грн
10+96.19 грн
100+56.15 грн
500+44.53 грн
1000+40.82 грн
2000+39.42 грн
4000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ Виробник : Fairchild fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86106LZ TFDT86106lz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ
Код товару: 133317
Додати до обраних Обраний товар

fdt86106lz-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ON Semiconductor fdt86106lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86106LZ FDT86106LZ Виробник : ONSEMI fdt86106lz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 189mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.