FDT86244 ON Semiconductor
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 313+ | 41.16 грн |
| 314+ | 41.05 грн |
| 365+ | 35.32 грн |
| 366+ | 34.00 грн |
| 500+ | 27.95 грн |
| 1000+ | 23.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86244 ON Semiconductor
Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції FDT86244 за ціною від 18.76 грн до 91.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 29016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 29202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - FDT86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.8 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86244 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V |
на замовлення 6414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86244 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDT86244 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 12A; 2.2W; SOT223 Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 4.9nC On-state resistance: 128mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 150V |
товару немає в наявності |