Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDT86246
FDT86246

FDT86246 ON Semiconductor

fdt86246-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86246 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V.

Інші пропозиції FDT86246 за ціною від 29.70 грн до 89.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT86246 FDT86246 Виробник : ON Semiconductor fdt86246-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 Виробник : onsemi fdt86246-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.95 грн
10+69.80 грн
100+48.92 грн
500+38.41 грн
1000+36.30 грн
2000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 Виробник : onsemi / Fairchild FDT86246_D-1808532.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
10+75.28 грн
100+45.87 грн
500+36.84 грн
1000+35.08 грн
2000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 Виробник : Fairchild fdt86246-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 FDT86246 TFDT86246
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 Виробник : ON Semiconductor fdt86246jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 Виробник : ON Semiconductor fdt86246-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 Виробник : ON Semiconductor fdt86246-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 Виробник : ONSEMI fdt86246-d.pdf FDT86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246 FDT86246 Виробник : onsemi fdt86246-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 236mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.