Продукція > ONSEMI > FDT86246L
FDT86246L

FDT86246L onsemi

fdt86246l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.62 грн
8000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86246L onsemi

Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDT86246L за ціною від 23.85 грн до 41.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+30.60 грн
407+30.12 грн
413+29.64 грн
420+28.12 грн
500+25.61 грн
1000+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : onsemi / Fairchild fdt86246l-d.pdf MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 33343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.63 грн
100+28.07 грн
1000+25.66 грн
2000+25.28 грн
4000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+33.30 грн
22+32.79 грн
25+32.27 грн
100+30.62 грн
250+27.89 грн
500+26.34 грн
1000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : onsemi fdt86246l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.47 грн
11+31.21 грн
100+29.12 грн
2000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.69 грн
250+32.00 грн
1000+28.06 грн
2000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.15 грн
50+33.69 грн
250+32.00 грн
1000+28.06 грн
2000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+38.30 грн
4000+36.10 грн
8000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
730+41.90 грн
1000+38.64 грн
10000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 730
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
730+41.90 грн
1000+38.64 грн
10000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 730
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor 3664928157085364fdt86246l.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L Виробник : ON Semiconductor fdt86246ld.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L Виробник : ONSEMI fdt86246l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 228mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L Виробник : ONSEMI fdt86246l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 228mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.