Продукція > ONSEMI > FDT86246L
FDT86246L

FDT86246L onsemi

fdt86246l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+24.32 грн
8000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDT86246L onsemi

Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDT86246L за ціною від 20.80 грн до 138.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDT86246L FDT86246L onsemi / Fairchild FDT86246L-D.PDF MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 27103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.77 грн
100+22.87 грн
500+22.73 грн
2000+22.66 грн
4000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L onsemi fdt86246l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.77 грн
11+29.62 грн
100+27.64 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L onsemi fdt86246l-d.pdf MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 23362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.90 грн
10+62.74 грн
100+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L ONSEMI fdt86246l-d.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.22 грн
50+85.99 грн
250+56.49 грн
1000+36.49 грн
2000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L ONN fdt86246l-d.pdf
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L-D.PDF
FDT86246L
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 27103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.77 грн
100+22.87 грн
500+22.73 грн
2000+22.66 грн
4000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
FDT86246L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.77 грн
11+29.62 грн
100+27.64 грн
2000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
FDT86246L
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 23362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.90 грн
10+62.74 грн
100+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
FDT86246L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+138.22 грн
50+85.99 грн
250+56.49 грн
1000+36.49 грн
2000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L fdt86246l-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.