FDT86246L onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.59 грн |
| 8000+ | 24.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86246L onsemi
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDT86246L за ціною від 22.34 грн до 52.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86246L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V |
на замовлення 10611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86246L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 37935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 11206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : ONSEMI |
FDT86246L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |