FDT86246L onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 24.50 грн |
| 8000+ | 22.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDT86246L onsemi
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDT86246L за ціною від 20.95 грн до 139.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDT86246L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V 2A N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 27103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 228mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 75 V |
на замовлення 8051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86246L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 11206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : ONN |
|
на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDT86246L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDT86246L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2A; Idm: 20A; 2.2W; SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 4.5nC On-state resistance: 228mΩ Power dissipation: 2.2W Drain current: 2A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V |
товару немає в наявності |