Продукція > ONSEMI > FDU3N40TU
FDU3N40TU

FDU3N40TU ONSEMI

FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.05 грн
25+33.26 грн
100+25.25 грн
500+19.62 грн
1000+16.41 грн
5000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU3N40TU ONSEMI

Description: ONSEMI - FDU3N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2 A, 2.8 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDU3N40TU за ціною від 32.59 грн до 65.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU3N40TU FDU3N40TU Виробник : onsemi / Fairchild FDU3N40_D-1808534.pdf MOSFET 400V N-Channel
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.23 грн
10+57.02 грн
100+41.20 грн
500+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TU FDU3N40TU Виробник : ON Semiconductor 4266648002326654fdu3n40-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TU Виробник : ONSEMI FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDU3N40TU THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N40TU FDU3N40TU Виробник : onsemi FAIRS46517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.