Продукція > ONSEMI > FDU3N50NZTU
FDU3N50NZTU

FDU3N50NZTU onsemi


FDU3N50NZTU_D-2313321.pdf Виробник: onsemi
MOSFET UNIFET2 500V NCH I
на замовлення 3458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.56 грн
10+58.83 грн
100+39.26 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU3N50NZTU onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDU3N50NZTU за ціною від 22.88 грн до 22.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU3N50NZTU Виробник : onsemi fdu3n50nztu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
980+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 980
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTU Виробник : ON Semiconductor fdu3n50nztu-d.pdf
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDU3N50NZTU Виробник : onsemi fdu3n50nztu-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.