| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.40 грн |
| 10+ | 55.21 грн |
| 100+ | 36.85 грн |
| 500+ | 29.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDU3N50NZTU onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FDU3N50NZTU за ціною від 22.33 грн до 22.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDU3N50NZTU | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk |
на замовлення 8980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| FDU3N50NZTU | ON Semiconductor |
|
на замовлення 5010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDU3N50NZTU |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK3 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 980+ | 22.33 грн |
| FDU3N50NZTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)