FDU6030BL

FDU6030BL Fairchild Semiconductor


FAIRS32466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 3525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
468+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU6030BL Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FDU6030BL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU6030BL FDU6030BL Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS32466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.