Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU6512A
FDU6512A

FDU6512A Fairchild Semiconductor

FAIRS19242-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+55.74 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU6512A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: I-PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FDU6512A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU6512A FDU6512A Виробник : onsemi FDD6512A,FDU6512A.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.