Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU6512A
FDU6512A

FDU6512A Fairchild Semiconductor

FAIRS19242-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
386+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 386
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU6512A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDU6512A за ціною від 86.65 грн до 86.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU6512A Виробник : ONSEMI FAIRS19242-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDU6512A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
464+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 464
В кошику  од. на суму  грн.
FDU6512A FDU6512A Виробник : onsemi FDD6512A,FDU6512A.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.