Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDU6680A
FDU6680A

FDU6680A Fairchild Semiconductor

FAIRS44389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDU6680A Fairchild Semiconductor

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDU6680A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDU6680A Виробник : FSC FAIRS44389-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.